X
تبلیغات
دوران ما - تئوری و تکنولوژی ساخت ادوات نیمه رسانا
دوران ما...از همه چیز... از همه جا

تئوری و تکنولوژی ادوات نیمه رسانا

Theory&Technology of Semiconductor Devices

 در این  پست قصد داریم تا در مورد ساخت ادوات نیمه رسانا مطالبی بنویسیم . مبنای این مطالب کتاب تئوری و تکنولوژی ساخت ادوات نیمه هادی نوشته ی دکتر کاتوزیان است و دو درس (۱و۲) با همین نام توسط ایشون در گروه الکترونیک دانشکده برق دانشگاه امیرکبیر ارائه می شود.

ادوات نیمه هادینیمه هادی

نکته: ظاهرا مبحث تئوری و تکنولوژی ساخت ادوات نیمه هادی یکی از مفاد کنکور دکتری رشته الکترونیک است و به همین علت دوستان در مورد این کتاب تماس گرفته اند و تعداد زیادی از دانشجویان ای‌میل داده‌اند که چطور می‌توانند این کتاب را تهیه کنند، باید به عرض برسانم که این کتاب در هر ترم به تعداد معدود چاپ شده و عمدتا در اختیار دانشجویان خود دانشگاه صنعتی امیرکبیر قرار می‌گیرد. برای اطلاع بیشتر به انتشارات امیرکبیر و یا دفتر نشر دانشکده‌ی برق آن مراجعه کنید. فایل ویرایش دوم این کتاب (1392)  روی سیستم سپهر دانشگاه امیرکبیر برای مقاصد دانشجویی موجود است. حق تکثیر کتاب همچنان محفوظ است.

فصول تدریس شده در این درس به طور خلاصه به صورت زیر است :

۱- ساختار کریستالی (عموما سیلیکان و کمی هم نیمه هادی های ترکیبی)

۲- فرآیندهای اکسیداسیون (حرارتی , معمولی , فشاربالا و...)

3- فرآیند نفود آلاینده ها ( نفوذ مرتبه اول , نفوذ عرضی , نفوذ خارجی و ... )

4- روش کاشت یونی آلاینده ها (فن آوری کاشت یونی,عمق اتصال,مقاومت سطحی , نقاط ضعف و...)

5- روش های لیتوگرافی (لیتوگرافی نوری,ماسک نوری,فتورزیست ها , اشعه ایکس ,اشعه یونی و...)

6- لایه نشانی و شستشوی شیمیایی (روش تبخیر , لایه نشانی پاشیدنی Sputtering و ...)

7- اثرات پاریزیتی و ناخواسته در ادوات مجتمع غیرفعال (خازن های MOS , ساخت سلف درون یک I.C  , مقاومت فیلم نازک Thin Film  و...)

8- اثرات پارازیتی در ادوات مجتمع فعال (ترانزیستورهای دو قطبی , ترانزیستورهای BJT , و ... ) 

در ادامه سعی می کنیم در مورد هر کدوم از این بخش ها تا اونجا که وقت باشه (و سواد) صحبت کنیم .

قبل از هر چیز نمونه سوالات میان ترم رو می نویسیم و  اگر وقت شد جوابشون رو همینجا میزاریم :

الف - سوالات تشریحی

۱- شیوه های ساخت کریستال نیمه هادی گالیم - آرسناید را توضیح دهید

۲- اجزای یک سیستم کاشت یونی  ion implantation را توضیح دهید (با رسم شکل)

3- لزوم استفاده از مرحله "رانش به جلو" Drive - in را در شیوه نفوذ حرارتی نیمه هادی ها توضیح دهید .

4- شیوه های اکسید سازی حرارتی را بر روی نیمه هادی ها توضیح دهید .

5- تعداد و نوع ماسک های mask مورد استفاده در ساخت یک خازن mos را بیان کنید.

ب - مسایل

1- در یک فرآیند اکسیدسازی حرارتی ویفر مورد نظر را در مرحله اول به مدت 25 دقیقه و در دمای 1100 درجه سانتیگراد و در اتمسفر خشک اکسیژن و در مرحله دوم در همان دما, به مدت 30 دقیقه و در اتمسفر مرطوب قرار می دهیم . ضخامت اکیر و ضخامت خورده شده از ویفر را محاسبه کنید .

2- زمان و درجه حرارت لازم برای تشکیل ناحیه بیس یک ترانزیستور دوقطبی npn را با شرایط زیر بدست آورید :

 عمق اتصال امیتر : نیم میکرون  ... عمق اتصال کلکتور -بیس : یک و نیم میکرون ... تمرکز ناخالصی در کلکتور : 10 به توان 15 اتم بر سانتیکتر مکعب


از لینک زیر می‌تونید فایل پی‌دی‌اف سمینار این درس رو دانلود کنید. موضوع سمینار ساخت ادوات RF-MEMS آراف‌ممز یا ادوات میکروالکترومکانیکی فرکانس رادیویی هستش.

دانلود سمینار مربوط به ادوات RE-MEMS

ادامه دارد ...


برچسب‌ها: نیمه رسانا, ساخت, IC, ادوات مجتمع
+ نوشته شده در  شنبه 25 شهریور1391ساعت 17:25  توسط حسین کرمی لاکه  |